600V / 650Vスーパージャンクション･パワーMOSFETテクノロジーは、ハード･スイッチング（PFC）とソフト･スイッチング（LLC）の両方に適した世界で唯一のテクノロジーです。600V / 650V MDmesh M9シリーズは、今まで以上に小型のソリューションやさらに高い電力密度を実現できます。高速固有ダイオードMDmesh DM9シリーズは、dv/dtおよびdi/dtが向上し、堅牢性と信頼性がさらに高まっています。市場で最高クラスの性能指数と旧世代よりも最大で46%低いRDS(on)を備えたこれらのスーパージャンクション･パワーMOSFETを使用すれば、設計者はシステム効率と電力密度を高め、放熱性を最適化することが可能になります。
新しいMDmesh M9およびMDmesh DM9の製品カタログには、主な特徴についての概要と、これらのSTPOWERスーパージャンクション･シリーズがもたらすメリットが記載されています。
テストおよび分析セクションには、この新シリーズの電力効率における優れた性能のほか、前世代のテクノロジーや競合他社との比較ベンチマークが記載されています。
主な特徴とメリット
- 市場で最高クラスの性能指数（RDS(on) x Qg）
MDmesh M9シリーズに固有
- 電圧範囲650V向けの業界最高のRDS(on)
- 最低Qg
- より高い逆方向時のダイオードdv / dtとMOSFET dv / dtの堅牢性
- より高い出力レベル
- 電力密度の向上、伝導損失の低減
- 高効率および低スイッチング電力損失
- 高速スイッチング
- より小型の設計に対する堅牢性と信頼性の向上
MDmesh DM9シリーズに固有
- 内蔵ダイオードの逆リカバリ時間（trr）の改善
- より高いdv / dt（120V/ns）とdi / dt能力（1300A/µs）
- 最適化されたボディ･ダイオードのリカバリ･フェイズとソフト･リカバリ
- 出力レベルの向上
- きわめて高効率のパフォーマンスと電力密度の向上
- システムの信頼性と堅牢性の向上
- より高い動作周波数と熱管理の向上
