STW75N65DM6-4: この高電圧Nチャネル･パワーMOSFETは非常に要求の厳しい高効率ブリッジ･トポロジおよびZVS位相シフト･コンバータの市場で利用可能な、非常に効果的なスイッチング動作を提供します。
DM6シリーズは、MDmesh™ファストリカバリ･ダイオード･シリーズの従来世代と比べ、非常に小さいリカバリ電荷（Qrr）、リカバリ時間（trr）、単位面積当たりのRDS(on)の大幅な改善を実現しています。また、非常に要求の厳しい高効率ブリッジ･トポロジおよびZVS位相シフト･コンバータの市場で利用可能な、非常に効果的なスイッチング動作を兼ね備えています。
STW75N65DM6-4の主な特徴
- ファストリカバリ･ボディ･ダイオード
- 従来製品に比べて、単位面積当たりのRDS(on)が低減
- 低ゲート電荷、低入力キャパシタンスおよび抵抗
- 100%アバランシェ試験済み
- きわめて堅牢なdv/dt特性
- ツェナー･ダイオードによる保護
- ソース･ピンのドライブ機能による優れたスイッチング性能
アプリケーション例
スイッチング･アプリケーション 関連情報
使いやすい製品セレクタにより、パラメータ検索エンジンを使用して、スムーズでシンプルなナビゲーション操作を実現し、ご使用のアプリケーションに適したMOSFETを迅速にお探しいただけます。Google Play、App Store、Wandoujiaから入手可能です。
設計のためにファストリカバリ･ダイオードでMDmesh DM6 スーパー･ジャンクション･テクノロジーを最大限活用する方法を紹介します。
