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  • The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • ESD PROTECTION
    • DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PIN
    • COMPATIBLE WITH STANDARD POWER MOSFET
    • LINEAR CURRENT LIMITATION
    • SHORT CIRCUIT PROTECTION
    • THERMAL SHUT DOWN
    • LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
    • DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
    • INTEGRATED CLAMP

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VNB10N07-E D2PAK Tube -
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VNB10N07TR-E D2PAK Tape And Reel -
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パッケージ

D2PAK

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Tube

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DIGIKEY

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VNB10N07TR-E

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS0208
      "OMNIFET": fully autoprotected power MOSFET
      6.0
      394.11 KB
      PDF
      DS0208

      "OMNIFET": fully autoprotected power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNB10N07-E
アクティブ
D2PAK オートモーティブ Ecopack1
VNB10N07TR-E
アクティブ
D2PAK オートモーティブ Ecopack1

VNB10N07-E

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

VNB10N07TR-E

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D2PAK

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D2PAK

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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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