VNB10N07

量産中
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OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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製品概要

概要

The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

  • 特徴

    • ESD PROTECTION
    • DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PIN
    • COMPATIBLE WITH STANDARD POWER MOSFET
    • LINEAR CURRENT LIMITATION
    • SHORT CIRCUIT PROTECTION
    • THERMAL SHUT DOWN
    • LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
    • DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
    • INTEGRATED CLAMP

回路ダイアグラム

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - VNB10N07

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フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNB10N07TR-E
量産中
D2PAK オートモーティブ Ecopack1 (*)

VNB10N07TR-E

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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RoHS
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VNB10N07TR-E
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。