製品概要
概要
The device is an advanced controller for a power MOSFET in high-side configuration, designed for the implementation of two intelligent high-side switches for 12 V, 24 V, and 48 V automotive applications. The control IC is interfaced to a host microcontroller through a 3.3 V and 5 V CMOS-compatible SPI interface and provides protection and diagnostics to the system.
-
特徴
- Designed for automotive applications
- 一般
- Dual independent channel high-side switch control IC with eFuse protection for automotive 12 V, 24 V, and 48 V applications
- SPI slave interface for host control
- 32-bit ST-SPI interface compatible with 3.3 V and 5 V CMOS level
- 2-stage charge pump
- Dual gate drive for an external MOSFET in high-side configuration
- Back to back configuration
- High precision bidirectional digital current sense for each channel via SPI through an external high-side shunt resistor
- Input for an NTC resistor to monitor the external MOSFET temperature
- Very low standby current: 25 μA in standby mode per channel, 0 μA in deep standby mode
- Emergency stop and limp-home pins for advanced safety features
- Device configuration lockout by a dedicated digital input pin
- Integrated ADC for TJ, VNTC, VOUT, VSENSEP1, 2 and VDS conversion
- Fast ADC for VDS, VSENSE conversion
- CCM: capacitive charging mode
- Few times programmable non-volatile memory (FTP NVM) embedded for customer sector program/erase/read
- Direct input pin for hardware control of external MOSFET gate pin
- BIST (current sense, VDS monitor and stuck on)
- QFN 5x5x0.9 mm 32+4L package with wettable flanks
- Protections
- Battery undervoltage shut-down configurable via SPI
- External MOSFET desaturation shutdown configurable via SPI
- Hard short circuit latch-off configurable via SPI
- Bidirectional OVL shutdown (over-load current) with a delay configurable via SPI
- I2t protection (current vs time latch-off) configurable via SPI (fuse-emulation)
- Device overtemperature shutdown
- Current sense undervoltage
- External battery (protection with external component) MOSFET overtemperature shutdown
- Reverse battery protection with external component
- Battery μcut protection with external component (compliant to LV124)
- Loss of GND
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - VNFD1248F
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フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VNFD1248F | 開発中 製品は設計段階にあります。 | VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKS | オートモーティブ | Ecopack2 | - | - | |
| VNFD1248FTR | 開発中 製品は設計段階にあります。 | VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKS | オートモーティブ | Ecopack2 | - | - | |
VNFD1248F
Package:
VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKSMaterial Declaration**:
VNFD1248FTR
Package:
VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKSMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| VNFD1248F | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | ||||||||||
| VNFD1248FTR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
VNFD1248F 開発中
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VNFD1248FTR 開発中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。