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  • The VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

    Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    Key Features

    • ESD protection
    • Diagnostic feedback through input pin
    • Compatible with standard Power MOSFET
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Integrated clamp

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VNN1NV04PTR-E SOT-223 Tape And Reel -
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6206
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
      3.0
      460.74 KB
      PDF
      DS6206

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNN1NV04PTR-E
アクティブ
SOT-223 オートモーティブ Ecopack2

VNN1NV04PTR-E

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

Package

SOT-223

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.