VNN7NV04P-E

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OMNIFET II - fully autoprotected Power MOSFET

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  • The VNN7NV04P-E, VNS7NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

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VNN7NV04PTR-E SOT-223 Tape And Reel -
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Farnell Element14 EUROPE 1404 1 発注する
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VNN7NV04PTR-E

パッケージ

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Tape And Reel

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ECCN (US)

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Country of Origin

CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6235
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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      364.37 KB
      PDF
      DS6235

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNN7NV04PTR-E
量産中
SOT-223 Automotive Ecopack2

VNN7NV04PTR-E

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SOT-223

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください