Product overview
概要
The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
-
All features
- In compliance with the 2002/95/EC european directive
- Compatible with standard power mosfet
- ESD protection
- Diagnostic feedback through input pin
- Linear current limitation
- Short circuit protection
- Thermal shutdown
- Low current drawn from input pin
- Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
- Integrated clamp
回路ダイアグラム
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - VNS1NV04DP-E
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Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VNS1NV04DPTR-E | Active 交換品交換品 | SO-8 | Automotive | Ecopack2 | 10 | 2026-01-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VNS1NV04DPTR-E | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
VNS1NV04DPTR-E Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。