製品概要
概要
The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
-
特徴
- In compliance with the 2002/95/EC european directive
- Compatible with standard power mosfet
- ESD protection
- Diagnostic feedback through input pin
- Linear current limitation
- Short circuit protection
- Thermal shutdown
- Low current drawn from input pin
- Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
- Integrated clamp
回路ダイアグラム
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - VNS1NV04DP-E
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| VNS1NV04DPTR-E | 量産中 | SO-8 | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| VNS1NV04DPTR-E | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | SO-8 | - | - | MOROCCO | | ||
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。