VNS1NV04DP-E

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OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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製品概要

概要

The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
  • 特徴

    • In compliance with the 2002/95/EC european directive
    • Compatible with standard power mosfet
    • ESD protection
    • Diagnostic feedback through input pin
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
    • Integrated clamp

回路ダイアグラム

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - VNS1NV04DP-E

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Symbols

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Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
VNS1NV04DPTR-E
量産中
SO-8 オートモーティブ Ecopack2

VNS1NV04DPTR-E

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SO-8

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品型番
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製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
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パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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VNS1NV04DPTR-E

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel SO-8 - - CHINA 0.64 / 1k

VNS1NV04DPTR-E

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.64 / 1k

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

SO-8

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.64 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィス または販売代理店 までお問い合わせください。