製品概要
概要
This 10 A, 650 V SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Housed in D²PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.-
特徴
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- Dedicated to PFC applications
- High forward surge capability
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
- ECOPACK2 compliant component
注目ビデオ
Getting started with Schottky and FERD eTool video
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STMicroelectronics - STPSC10065
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| ZIP | 14 Dec 2020 | 14 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC10065D | 量産中 | TO-220AC | インダストリアル | Ecopack2 | |
| STPSC10065G2-TR | 評価中 | H2PAK-2 | インダストリアル | Ecopack2 | |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STPSC10065G2-TR | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 評価中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | 175 | CHINA | 1.369 / 50 | |||
| STPSC10065D | 4 distributors | Free Sample Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220AC | - | - | 175 | CHINA | 1.2 / 100 | ||
製品ステータス
評価中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
1.369 / 50（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
