650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • Insulated package: TO-220AC Ins
    • Insulated voltage: 2500 VRMS sine
    • Typical package capacitance: 7 pF

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パッケージ

DPAK

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Tape And Reel

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175

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CHINA

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パッケージ

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175

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推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9226
      650 V power Schottky silicon carbide diode
      7.0
      732.41 KB
      PDF
      DS9226

      650 V power Schottky silicon carbide diode

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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      AN5088
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      6.0
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
      99.21 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
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      Silicon-carbide diode product presentation

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H065B-TR
Active
DPAK インダストリアル Ecopack1 (*)
STPSC10H065D
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TO-220AC インダストリアル Ecopack2
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TO-220AC Ins インダストリアル Ecopack2

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Package:

DPAK

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Package:

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TO-220AC Ins

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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.