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1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode, available in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK and DO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

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DPAK HV 2L

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TO-220AC

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS11566
      1200 V power Schottky silicon carbide diode
      5.0
      426.28 KB
      PDF
      DS11566

      1200 V power Schottky silicon carbide diode

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      TN1173

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

Presentations & Training Material

    • 概要 Version Size Action
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H12B-TR1
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DPAK HV 2L Industrial Ecopack1
STPSC10H12D
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TO-220AC Industrial Ecopack2
STPSC10H12G-TR
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D2PAK Industrial Ecopack2
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DO247 LONG LEADS Industrial Ecopack2

STPSC10H12B-TR1

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