1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode, available in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK and DO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • ECOPACK®2 compliant

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パッケージ

DPAK HV 2L

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TO-220AC

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推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11566
      1200 V power Schottky silicon carbide diode
      5.0
      426.28 KB
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      DS11566

      1200 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
      1,022.79 KB
      PDF

      Silicon-carbide diode product presentation

関連資料

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters

      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

      Silicon-carbide diodes

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Diodes and rectifiers selection guide 2.0
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H12B-TR1
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DPAK HV 2L インダストリアル Ecopack1
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D2PAK インダストリアル Ecopack2
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