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2 x 650V tandem, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in specific bridge-less topologies, this dual 650 V rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Suited for specific bridge-less topologies
    • High forward surge capability
    • Insulated package:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9697
      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series
      3.0
      271.33 KB
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      DS9697

      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series

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      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
      433.12 KB
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
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品質 & 信頼性

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
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TO-220AB Ins Industrial Ecopack2

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TO-220AB Ins Tube 175 EAR99 CHINA 2.701 / 100

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TO-220AB Ins

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Tube

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