STPSC15H12G2Y-TR

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Automotive Grade 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode

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製品概要

概要

This 15 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Housed in D2PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in OBC, DC/DC for EV, easing the compliance to IEC-60664-1.
The STPSC15H12G2Y-TR will boost performances in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • PPAP capable
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
    • ECOPACK2 compliant

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    • 製品型番
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      ST Diode Finder

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC15H12G2Y-TR
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H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack2

STPSC15H12G2Y-TR

Package:

H2PAK-2

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H2PAK-2

Grade

Automotive

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Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - 4.936 / 10
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Junction Temperature (°C) (max):

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Country of Origin:

CHINA

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パッケージ

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175

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。