製品概要
概要
The STPSC16H065A SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode, packaged in TO-247, will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
-
特徴
- No or negligible reverse recovery
- Temperature independent switching behavior
- High forward surge capability
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- Power efficient product
- ECOPACK®2 compliant
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPSC16H065A
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 10.0 | 05 May 2023 | 05 May 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC16H065AW | 量産中 | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STPSC16H065AW
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STPSC16H065AW | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | - | - | 175 | CHINA | | 175 | CHINA | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。