STPSC16H065A

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650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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製品概要

概要

The STPSC16H065A SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode, packaged in TO-247, will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Power efficient product
    • ECOPACK®2 compliant

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC16H065A

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC16H065AW
量産中
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STPSC16H065AW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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STPSC16H065AW
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梱包タイプ:
RoHS:
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ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STPSC16H065AW

Junction Temperature (°C) (max):

175

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。