製品概要
概要
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in interleaved or bridge-less topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
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特徴
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- High forward surge capability
- ECOPACK®2 compliant component
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPSC16H065C
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フットプリント
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 10.0 | 05 May 2023 | 05 May 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC16H065CT | NRND | TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 | |
STPSC16H065CT
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STPSC16H065CT | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | NRND | EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | 175 | CHINA | | 175 | CHINA | ||
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。