STPSC2006CW

NRND
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600 V power Schottky silicon-carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Particularly suitable in PFC boost diode function

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC2006CW

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC2006CW
NRND
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STPSC2006CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
Junction Temperature (°C) (max)
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最小
最大
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販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

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NRND
EAR99 NEC Tube TO-247 - -

175

CHINA

STPSC2006CW NRND

パッケージ:
TO-247
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

STPSC2006CW

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tube

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

Junction Temperature (°C) (max):

175

Country of Origin:

CHINA

販売代理店

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。