STPSC4H065DLF

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4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

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製品概要

概要

This 4 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Qualified in low profile package, the STPSC4H065DLF in PowerFLAT 8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.

  • 特徴

    • Less than 1 mm height package
    • High creepage package
    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Low drop forward voltage
    • Power efficient product
    • ECOPACK2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC4H065DLF

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC4H065DLF
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POWER FLAT MLPD 8X8 4L MIXPLANT インダストリアル Ecopack2

STPSC4H065DLF

Package:

POWER FLAT MLPD 8X8 4L MIXPLANT

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

POWER FLAT MLPD 8X8 4L MIXPLANT

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ:
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ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STPSC4H065DLF

Junction Temperature (°C) (max):

175

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