STPSC8065

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650 V power Schottky silicon carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • ECOPACK®2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC8065

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC8065D
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TO-220AC インダストリアル Ecopack2

STPSC8065D

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TO-220AC

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Marketing Status

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Package

TO-220AC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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梱包タイプ:
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ECCN (US):
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STPSC8065D

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