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This 8 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Qualified in low profile package, the STPSC8H065DLF in PowerFLAT™8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as Telecom & Network, Industrial or Renewable energy domains.
主な特徴
- Less-than-1mm height package
- High creepage package
- No or negligible reverse recovery
- Temperature independent switching behavior
- High forward surge capability
- Low drop forward voltage
- Power efficient product
- ECOPACK®2 compliant component
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製品スペック (1)
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| 05 Dec 2018 |
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アプリケーションノート (3)
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テクニカル･ノート & 技術解説 (1)
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プレゼンテーション (1)
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フライヤー (5)
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セレクションガイド (1)
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パンフレット (2)
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カンファレンスペーパー (1)
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| 23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STPSC8H065DLF
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
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| ZIP | 03 Dec 2019 |
03 Dec 2019
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC8H065DLF |
量産中
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PowerFLAT 8x8 HV | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STPSC8H065DLF | 5 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 8x8 HV | - | - | 175 | CHINA | 1.12 / 100 | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
