EVSTGAP2GSN

量産中
Design Win

Demonstration board for STGAP2GSN isolated single gate driver with e-mode GaN transistor

データブリーフのダウンロード

製品概要

概要

The EVSTGAP2GSN is a half bridge evaluation board designed to evaluate the STGAP2GSN isolated single gate driver.

The gate driver is characterized by 2 A source and 3 A sink capability and rail-to-rail outputs, making the device also suitable for mid and high power inverter applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications.

The device allows to independently optimize turn-on and turn-off by using dedicated gate resistors.

The device integrates protection functions including thermal shutdown and UVLO with optimized level for enhancement-mode GaN transistors, which enables easy design high efficiency and reliable systems. Dual input pins allow the selection of signal polarity control and implementation of HW interlocking protection to avoid cross-conduction in case of controller malfunction.

The device allows implementing negative gate driving, and the on board isolated DC-DC converters allows working with optimized driving voltage for e-mode GaN transistors.

The EVSTGAP2GSN board allows evaluating all the STGAP2GSN features driving the SGT120R65AL 75 mΩ, 650 V e-Mode GaN transistors.

The board components are easy to access and modify to make driver performance evaluation easier under different application conditions and fine adjustment of final application components.

  • 特徴

    • Board
      • Half bridge configuration, high voltage rail up to 650 V
      • SGT120R65AL: 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
      • Negative gate driving
      • On board isolated DC-DC converters to supply high-side and low-side gate drivers, fed by VAUX = 5 V, with 1.5 kV maximum isolation
      • VDD logic supplied by on-board 3.3 V or VAUX = 5 V
      • Easy jumper selection of driving voltage configuration: +6/0 V; +6/-3 V
    • デバイス
      • 1700 V functional isolation
      • Driver current capability: 2 A / 3 A source/sink @ 25 °C, VH = 6 V
      • Separate sink and source for easy gate driving configuration
      • Input-output propagation delay: 45 ns
      • UVLO function optimized for GaN
      • Gate driving voltage up to 15 V
      • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
      • Temperature shut down protection

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード WEEE Compliant 材料宣誓書**
EVSTGAP2GSN
量産中
CARD インダストリアル Ecopack1 -

EVSTGAP2GSN

Package:

CARD

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

CARD

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again
製品型番
製品ステータス
Budgetary Price (US$)*/Qty
STから購入
Order from distributors
パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
サプライヤ
コア製品
EVSTGAP2GSN
Available at distributors

販売代理店在庫 EVSTGAP2GSN

販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

販売代理店在庫データ:

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

EVSTGAP2GSN 量産中

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

EVSTGAP2GSN

サプライヤ:

ST

コア製品:

STGAP2GSN, SGT120R65AL

販売代理店

販売代理店在庫データ:

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。