MASTERGAN3

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High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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概要

The MASTERGAN3 is an advanced power system-in-package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in asymmetrical half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have 650 V drain‑source blocking voltage and RDS(ON) of 225 mΩ and 450 mΩ for Low side and High side respectively, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
The MASTERGAN3 features UVLO protection on both the lower and upper driving sections, preventing the power switches from operating in low efficiency or dangerous conditions, and the interlocking function avoids cross-conduction conditions.
The input pins extended range allows easy interfacing with microcontrollers, DSP units or Hall effect sensors.
The MASTERGAN3 operates in the industrial temperature range, -40°C to 125°C.
The device is available in a compact 9x9 mm QFN package.
  • 特徴

    • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors in asymmetrical configuration:
      • QFN 9 x 9 x 1 mm package
      • RDS(ON) = 225 mΩ (LS) + 450 mΩ (HS)
      • IDS(MAX) = 6.5 A (LS) + 4 A (HS)
    • Reverse current capability
    • Zero reverse recovery loss
    • UVLO protection on low-side and high-side
    • Internal bootstrap diode
    • Interlocking function
    • Dedicated pin for shutdown functionality
    • Accurate internal timing match
    • 3.3 V to 15 V compatible inputs with hysteresis and pull-down
    • Overtemperature protection
    • Bill of material reduction
    • Very compact and simplified layout
    • Flexible, easy and fast design.

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      ステータス
      概要
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      サプライヤ

      EVALMASTERGAN3

      量産中

      Demonstration board for MASTERGAN3 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

      電源&コンバータ・ソリューション用評価ボード ST
      EVALMASTERGAN3

      概要:

      Demonstration board for MASTERGAN3 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - MASTERGAN3

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3D model

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
MASTERGAN3
量産中
VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM インダストリアル Ecopack2
MASTERGAN3TR
量産中
VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM インダストリアル Ecopack2

MASTERGAN3

Package:

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Grade

Industrial

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MASTERGAN3TR

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Grade

Industrial

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EAR99 NEC Tray VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND 6.083 / 1k
MASTERGAN3TR Available at 4 distributors

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DIGIKEY WORLDWIDE 496 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 492 1 発注する
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EAR99 NEC Tape And Reel VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND 6.083 / 1k

MASTERGAN3

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NEC

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Tray

パッケージ

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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梱包タイプ

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パッケージ

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Operating Temperature (°C)

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-

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。