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GaN(窒化ガリウム)パワーIC

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高集積スマートGaN

GaN(窒化ガリウム)は、従来のシリコンMOSFETを大きく上回る高速、高効率、高電力密度を実現する革新的な新材料です。STの先進的なMasterGaNシステム・イン・パッケージ(SiP)は、GaNトランジスタおよびゲート・ドライバを1パッケージに集積し、ゲート・ドライバのレイアウト最適化による高効率化や、寄生効果の最小化による電力密度の向上、および高いスイッチング周波数を実現します。

STDRIVE® GaN Drivers

STDRIVE® GaNゲート・ドライバは、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル・パワーMOSFET向けのハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。