MASTERGAN4L

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エンハンスメント型GaN HEMTトランジスタを2個搭載した高電力密度600Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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製品概要

概要

MASTERGAN4Lは、ハーフブリッジ構成で1個のゲート・ドライバと2個のエンハンスメント型GaNパワー・トランジスタを集積した高度なパワー・システム・イン・パッケージです。

内蔵のGaNパワー・トランジスタは、RDS(ON)が225mΩ、ドレインソース阻止電圧が650Vです。内蔵ゲート・ドライバのハイサイドには、内蔵ブートストラップ・ダイオードから容易に電力を供給できます。

MASTERGAN4LのVCCにはUVLO保護が搭載されており、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。

入力端子の広範な入力電圧範囲により、アナログ・コントローラ、マイクロコントローラ、およびDSPユニットに容易に接続可能です。

MASTERGAN4Lは、-40℃~+125℃の産業用温度範囲で動作します。

コンパクトな9mm x 9mmのQFNパッケージで提供されます。

  • 特徴

    • ハーフブリッジ・ゲート・ドライバと高電圧パワーGaNトランジスタを集積した600Vシステム・イン・パッケージ
      • QFNパッケージ(9mm x 9mm x 1mm)
      • RDS(ON) = 225mΩ
      • IDS(MAX) = 6.5A
    • 逆導通に対応
    • 逆回復損失ゼロ
    • VCC上のUVLO保護機能
    • ブートストラップ・ダイオード内蔵
    • インターロック機能
    • シャットダウン専用端子
    • 正確な内部タイミングのマッチング
    • ヒステリシスとプルダウン付き3.3V~15Vの互換入力
    • 温度保護
    • 部品数の削減に貢献
    • コンパクトかつシンプルなレイアウト
    • 設計が柔軟性があり簡単なため設計期間の短縮が可能に
    • 非常に短い起動時間:200ns未満

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - MASTERGAN4L

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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