製品概要
主な利点
1パッケージに集積した650V GaNハーフブリッジ
ゲート･ドライバ内蔵ハーフブリッジにより、小型な高耐圧電源設計を実現。
高効率化を実現する高速ウェイクアップ
超高速ウェイクアップにより、軽負荷時の効率的なバースト動作を実現。
保護機能およびスタンバイ機能を内蔵
UVLO、サーマル･シャットダウン、およびスタンバイ制御により、安全性向上と省電力を実現。
概要
MASTERGAN7は、2つのエンハンスメント型GaNトランジスタをハーフブリッジ構成で集積化し、高耐圧の高周波数ゲート･ドライバで駆動する先進のパワー･システム･イン･パッケージです。
内蔵されたパワーGaNは、RDS(ON) = 270mΩ（Typ.）、ドレイン･ソース間阻止電圧 = 650Vを実現しています。
MASTERGAN7は、駆動効率を最適化するために、ローサイドとハイサイド両方の駆動回路にリニア･レギュレータを使用しています。内蔵ゲート･ドライバのハイサイドには、内蔵のブートストラップ･ダイオードから給電できます。さらに、インターロック機能が貫通電流の発生を防ぎます。
高度なドライバ回路は伝播遅延、ウェイクアップ時間、最小オン時間がいずれも短いため、高周波数でのスイッチング動作が可能です。
さまざまな機能の入力ピンおよびリモート･コントローラ/モニタ用のピン（FLT）により、コントローラ、マイコン、DSPユニットとの接続も容易です。スタンバイ･ピンを使用すれば、デバイスが非アクティブの期間、消費電力を低減できます。
MASTERGAN7は、-40℃～+125℃の産業用温度範囲で動作します。
コンパクトな9mm x 9mm x 1mmのQFNパッケージで提供されます。
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機能一覧
- 高電圧ゲート･ドライバを含む650V GaNトランジスタ･ハーフブリッジを集積化したパワー･システム･イン･パッケージ
- ローサイドとハイサイドのRDS(ON) = 270mΩ（Typ.）、IDS（MAX） = 6A
- ハイサイドとローサイドのドライバ電源電圧を調整するリニア･レギュレータ
- ドライバの総伝播遅延 = 45ns、最小パルス幅 = 35ns
- ハイサイド･ドライバの極めて短いウェイクアップ時間
- 外部で調整可能なターンオン抵抗
- VCCおよびハイサイド･ドライバ電源電圧に対するUVLO保護
- インターロック機能
- スタンバイおよびシャットダウンの専用ピンおよびリモート･コントローラ/モニタ用のフォルト･ピン（FLT）
- ヒステリシス動作とプルダウン抵抗を備えた3.3V～15V（Typ.）互換入力
- サーマル･シャットダウン保護
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STMicroelectronics - MASTERGAN7
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MASTERGAN7TR | Active 交換品交換品 | TFQFPN 9X9X1.05 35L PITCH 0.6MM | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| MASTERGAN7TR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
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