A2U12M12W2-F1C

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ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 100 A based on SiC Power MOSFET

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製品概要

概要

This ACEPACK 2 power module represents a leg of a T-type 3-level inverter topology that integrates the advanced silicon carbide power MOSFET technology from STMicroelectronics. This module is manufactured using both the innovative properties of the wide bandgap materials and the high thermal performance substrate, which results in exceptional low on-resistance per unit area and excellent switching performance almost independent of temperature. A negative temperature sensor and three DC link capacitors are also included to optimize switching behavior.

  • 特徴

    • ACEPACK 2 power module
      • 13 mΩ of typical RDS(on) each switch (2 dice in parallel per switch)
      • 2.5 kVrms insulation voltage
      • Integrated NTC temperature sensor
      • DC link capacitors between DC BUS and neutral
      • AIN DBC improved thermal performance
      • Press fit contact pins

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - A2U12M12W2-F1C

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
A2U12M12W2-F1C
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ACEPACK 2 インダストリアル Ecopack1

A2U12M12W2-F1C

Package:

ACEPACK 2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

ACEPACK 2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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A2U12M12W2-F1C
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