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  • The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.

    主な特徴

    • High breakdown voltage VCEO = 140 V
    • Typical ft = 20 MHz
    • Fully characterized at 125 oC

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2SD1047 TO-3P Tube
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ARROW EUROPE 1050 0 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 787 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 387 1 Order Now

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2SD1047

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS7187
      High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
      1.1
      185.24 KB
      PDF
      DS7187

      High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2SD1047
Active
TO-3P インダストリアル Ecopack1

2SD1047

Package:

TO-3P

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-3P

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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