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  • The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast switching speed
    • Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

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2STR2230 SOT-23 Tape And Reel
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS4838
      Low voltage fast-switching PNP power transistor
      5.0
      867.51 KB
      PDF
      DS4838

      Low voltage fast-switching PNP power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STR2230
アクティブ
SOT-23 インダストリアル Ecopack2

2STR2230

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

SOT-23

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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