BD678

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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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  • The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

    主な特徴

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS0882
      Complementary power Darlington transistors
      5.2
      377.2 KB
      PDF
      DS0882

      Complementary power Darlington transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
BD678
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SOT-32 インダストリアル Ecopack1

BD678

Package:

SOT-32

Material Declaration**:

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Package

SOT-32

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Industrial

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Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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