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  • The BU508AF is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure for updated performance to the horizontal deflection stage.

    主な特徴

    • Fully insulated power package U.L. compliant
    • State-of-the-art technology:Diffused collector “Enhanced generation”
    • Low base-drive requirement
    • Stable performances versus operating temperature variation
    • High ruggedness
    • Tigh hFE range at operating collector current

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BU508AF TO-3PF Tube
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BU508AF

パッケージ

TO-3PF

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Tube

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DIGIKEY WORLDWIDE 861 1 Order Now
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5168
      High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
      2.2
      211.16 KB
      PDF
      DS5168

      High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
BU508AF
アクティブ
TO-3PF インダストリアル Ecopack1

BU508AF

Package:

TO-3PF

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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