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  • The MJD340 and MJD350 form complementary NPN -PNP pairs.

    They are manufactured using Medium Voltage Epitaxial-Planar technology, resulting in a rugged high performance cost-effective transistor.

    主な特徴

    • STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
    • MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
    • COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
    • ELECTRICAL SIMILAR TO MJE340 AND MJE350
    • SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \"T4\")

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MJD350T4 DPAK Tape And Reel
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS0780
      Complementary silicon power transistors
      3.5
      503.62 KB
      PDF
      DS0780

      Complementary silicon power transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
MJD350T4
アクティブ
DPAK インダストリアル Ecopack2

MJD350T4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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