製品概要
概要
本SiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETは、STの先進的かつ革新的な第3世代のSiC MOSFETテクノロジーを駆使して開発されました。本デバイスは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス(静電容量)かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム・サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション・パフォーマンスを全体的に高められます。
-
特徴
- AEC-Q101準拠
- 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
- ハイスピード・スイッチング性能
- 高速かつ堅牢なボディ・ダイオードを内蔵
- 高効率を実現するソース・センシング・ピン
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
---|
SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
---|---|---|---|---|
ZIP | 2.0 | 16 Jan 2023 | 16 Jan 2023 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
SCT070H120G3AG | 量産中 | H2PAK-7 | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小 | 最大 | |||||||||||
SCT070H120G3AG | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | H2PAK-7 | - | - | ITALY | |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。