製品概要
概要
本SiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETは、STの先進的かつ革新的な第3世代のSiC MOSFETテクノロジーを駆使して開発されました。本デバイスは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス（静電容量）かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム･サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション･パフォーマンスを全体的に高められます。
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特徴
- AEC-Q101準拠
- 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
- ハイスピード･スイッチング性能
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵
- 高効率を実現するソース･センシング･ピン
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SCT070H120G3AG
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 16 Jan 2023 | 16 Jan 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT070H120G3AG | 量産中 | H2PAK-7 | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SCT070H120G3AG | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | H2PAK-7 | - | - | ITALY | | ||
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。