SCT20N120H

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • 特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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STMicroelectronics - SCT20N120H

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT20N120H
量産中
H2PAK-2 インダストリアル Ecopack2

SCT20N120H

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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DIGIKEY WORLDWIDE 14 1 発注する
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MOUSER WORLDWIDE 32 1 発注する

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販売代理店

DIGIKEY

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RS COMPONENTS

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MOUSER

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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA

SCT20N120H

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

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地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク
DIGIKEY WORLDWIDE 14 1 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 81 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 32 1 発注する

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。