SCTL90N65G2V

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

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概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

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STMicroelectronics - SCTL90N65G2V

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTL90N65G2V
量産中
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

SCTL90N65G2V

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
SCTL90N65G2V

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA

SCTL90N65G2V

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

PowerFLAT 8x8 HV

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。