SCTL90N65G2V

量産中
Design Win

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

Download datasheet Order Direct

製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SCTL90N65G2V

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

Please select one model supplier :

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTL90N65G2V
量産中
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

SCTL90N65G2V

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

XML

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again
製品型番
製品ステータス
Budgetary Price (US$)*/Qty
STから購入
Order from distributors
パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
SCTL90N65G2V
Available at distributors

販売代理店在庫 SCTL90N65G2V

販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

販売代理店在庫データ:

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

SCTL90N65G2V 量産中

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

SCTL90N65G2V

販売代理店

販売代理店在庫データ:

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。