Product overview
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
-
All features
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCTL90N65G2V
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTL90N65G2V | Active 交換品交換品 | PowerFLAT 8x8 HV | Industrial | Ecopack2 | - | - |
SCTL90N65G2V
Package:
PowerFLAT 8x8 HVMaterial Declaration**:
XML(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTL90N65G2V | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCTL90N65G2V Active
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