SCTW35N65G2VAG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2VAG
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HIP247 Automotive Ecopack2

SCTW35N65G2VAG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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