SCTWA90N65G2V-4

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • High speed switching performance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances
    • Source sensing pin for increased efficiency

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STMicroelectronics - SCTWA90N65G2V-4

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA90N65G2V-4
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HiP247-4 インダストリアル Ecopack2

SCTWA90N65G2V-4

Package:

HiP247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HiP247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube HiP247-4 - - CHINA

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NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HiP247-4

Operating Temperature (°C)

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(最大)

-

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CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。