Product overview
Key Benefits
効率の向上
GaNの優れた電気特性により、スイッチング損失と導通損失が最小限に抑えられ、高効率な電力設計を実現します。
出力密度の向上
スイッチング周波数の上昇により、小型で高出力密度の設計が可能になり、受動部品の小型化と熱管理の簡素化が実現します。
システム･コストの削減
受動部品の小型化と熱管理の簡素化により、システム･サイズが縮小し、部品コスト（BOM）全体が削減されます。
概要
The SGT100R70FDC is a 700 V, 21 A e-mode PowerGaN transistor. The resulting device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra-fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
-
All features
- Enhancement mode normally off transistor
- Very high switching speed
- High power management capability
- Extremely low capacitances
- Zero reverse recovery charge
- ESD safeguard
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SGT100R70FDC
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
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Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT100R70FDC | Evaluation 製品の特性評価中です。エンジニアリング･サンプルは限定的にご利用いただけます。 | POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN | Industrial | Ecopack1 | - | - | |
SGT100R70FDC
Package:
POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGANMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT100R70FDC | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SGT100R70FDC Evaluation
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。