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  • The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

    主な特徴

    • High voltage capability
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

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ST13003-K SOT-32 Poly Bag
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ST13003-K

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SOT-32

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS5292
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      5.0
      241.61 KB
      PDF
      DS5292

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
ST13003-K
Active
SOT-32 インダストリアル Ecopack1

ST13003-K

Package:

SOT-32

Material Declaration**:

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Package

SOT-32

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.