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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.

    主な特徴

    • FULLY CHARACTERIZED AT 125 °C
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • IMPROVED SPECIFICATION: LOWER LEAKAGE CURRENT TIGHTER GAIN RANGE DC CURRENT GAIN PRESELECTIONTIGHTER STORAGE TIME RANGE
    • INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
    • HIGH VOLTAGE CAPABILITY
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
    • LARGE RBSOA
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

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ST13007D TO-220AB Tube
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ST13007D

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2303
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      3.3
      214.58 KB
      PDF
      DS2303

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
ST13007D
Active
TO-220AB インダストリアル Ecopack2

ST13007D

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-220AB

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Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.