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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.

    主な特徴

    • FULLY CHARACTERIZED AT 125 °C
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
    • IMPROVED SPECIFICATION: LOWER LEAKAGE CURRENT TIGHTER GAIN RANGE DC CURRENT GAIN PRESELECTION TIGHTER STORAGE TIME RANGE
    • INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
    • HIGH VOLTAGE CAPABILITY
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
    • LARGE RBSOA
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

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ST13007DFP TO-220FP Tube
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ST13007DFP

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TO-220FP

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS3321
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      1.3
      221.5 KB
      PDF
      DS3321

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
ST13007DFP
Active
TO-220FP インダストリアル Ecopack2

ST13007DFP

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.