製品概要
概要
This N-channel enhancement mode Power MOSFET benefits from the latest refinement of STMicroelectronics’ unique “single feature size” strip-based process, which decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
-
All features
- AEC-Q101 qualified
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Excellent FoM (figure of merit)
- Very low intrinsic capacitance
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STB30NF20L
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB30NF20L | Active 交換品交換品 | D2PAK | Automotive | Ecopack1 (*) | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB30NF20L | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STB30NF20L Active
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