STB8N90K5

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N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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製品概要

概要

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

  • 特徴

    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best FoM (figure of merit)
    • Ultra-low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STB8N90K5

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB8N90K5
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D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB8N90K5

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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