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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
    The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主な特徴

    • THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (Suffix \"-1\")
    • SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (Suffix \"T4\")
    • REVERSE PINS OUT Vs STANDARD IPAK (TO-251) / DPAK (TO-252) PACKAGES
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
    • MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

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STD13003T4 DPAK Tape And Reel
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STD13003T4

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2438
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      3.3
      266.02 KB
      PDF
      DS2438

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD13003T4
アクティブ
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD13003T4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.