STD40P8F6AG

量産中
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Automotive-grade P-channel -80 V, 18.5 mOhm typ., -40 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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製品概要

概要

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

  • 特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STD40P8F6AG

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD40P8F6AG
量産中
DPAK オートモーティブ Ecopack1

STD40P8F6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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パッケージ
梱包タイプ
RoHS
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STD40P8F6AG
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。