STD46P4LLF6

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P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STD46P4LLF6

パッケージ

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技術文書

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      DS10119
      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
      3.0
      894.17 KB
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      DS10119

      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

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      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STD46P4LLF6 PSpice model 1.0
      8.9 KB
      ZIP

      STD46P4LLF6 PSpice model

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD46P4LLF6
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DPAK Industrial Ecopack2

STD46P4LLF6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください