Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11772
      Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mΩ typ., -80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package
      1.0
      726.91 KB
      PDF
      DS11772

      Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mΩ typ., -80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4337
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      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STD95P3LLH6AG PSpice model 1.0
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      STD95P3LLH6AG PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD95P3LLH6AG
アクティブ
DPAK オートモーティブ Ecopack1

STD95P3LLH6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.