製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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機能一覧
- 10 µs of short-circuit withstanding time
- Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STG15M120F3D7
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Grade | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|
| STG15M120F3D7 | Active 交換品交換品 | Industrial | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
Sample & Buy
| Budgetary Price (US$)*/Qty | |||||||||||||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||
| STG15M120F3D7 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | Active | D.SCRIB.100% VI STAT | Not Applicable | ITALY | EAR99 | NEC | -55 | 175 | |
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Buy Direct at ST （*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。