STG15M120F3D7

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1200 V, 15 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • 10 µs of short-circuit withstanding time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STG15M120F3D7

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STG15M120F3D7
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STG15M120F3D7

Package:

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STG15M120F3D7 量産中

パッケージ:
D.SCRIB.100% VI STAT
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EAR99

製品型番:

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ECCN (EU):

NEC

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Not Applicable

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最小:

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最大:

175

Country of Origin:

ITALY

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。