STは、プレーナ・パンチスルー（PT）技術とトレンチゲート･フィールドストップ技術の両方で、300V～1250VのIGBT（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）の総合的なポートフォリオを提供しています。
スイッチング性能とオンステート動作のトレードオフが最適化されているSTのIGBTは、汎用インバータ、モータ制御、家電製品、HVAC、UPS/SMPS、溶接装置、誘導加熱、太陽光インバータ、トラクション･インバータ、オンボード充電器および高速充電器など、産業分野および自動車に最適です。
STのIGBTは、ベア･ダイまたはパッケージングされたディスクリート部品として提供されています。
STのIGBTの主な特徴は以下のとおりです。
- 導通損失とスイッチオフ損失時の間のトレードオフが最適
- 最高接合温度は175°C
- 広いスイッチング周波数範囲
- 電力損失の改善と温度管理の最適化のために、アンチパラレル･ダイオード･オプションをパッケージに実装
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1200 V IGBT S series
Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s
S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V
CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).
