STは、幅広いアプリケーション･ニーズに対して最適化され、さまざまなプロセス技術を用いた総合的なIGBT（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）のポートフォリオを提供しています。耐圧300V ~ 1200V超のIGBTデバイスには、ベア･ダイまたはパッケージングされたディスクリート部品が用意されています。
STのIGBTポートフォリオには、次のような製品が含まれます。
- プレナー･パンチスルー（PT）IGBT
- オートモーティブ･グレード（AEC-Q101）IGBT
- トレンチ･フィールドストップ（TFS）IGBT
STのIGBTは、汎用インバータ、モータ制御、家電製品、UPS/SMPS、溶接装置、誘導加熱、太陽光インバータ、自動車用など、各種アプリケーションごとに、導通損失とスイッチ・オフ損失時の間のトレードオフを調整して最適化しています。
STのIGBTポートフォリオには主に次のような特徴があります。
- 導通損失を低減する低いVCE（SAT）
- 温度上昇に対するスイッチオフ･エネルギー増加を抑えスイッチング損失を低減
- ばらつき幅の小さいパラメータにより、並列接続も容易でシンプルな設計が可能
- 還流ダイオード同梱に適したパッケージも選択可能で、損失改善や最適温度管理に貢献
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1200 V IGBT S series
Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s
S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V
CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).
