STは、プレーナ・パンチスルー(PT)技術およびトレンチゲート・フィールドストップ(TFS)技術を用いた、300V~1700VのIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)の包括的な製品ポートフォリオを提供しています。650V IGBT HB2シリーズは、STPOWERファミリの製品です。

STのIGBTは、スイッチング性能とオンステート動作のトレードオフが最適化されており、汎用インバータやモータ制御、生活家電、空調設備、無停電電源装置(UPS) / スイッチング電源(SMPS)、溶接機、IH、ソーラー・インバータ、トラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、高速充電器といった産業用および車載用アプリケーションに適しています。 




  • 最適化された導通損失とスイッチオフ損失のトレードオフ
  • 最高接合温度:175℃(Tᴊ)
  • 広範なスイッチング周波数
  • アンチパラレル・ダイオード・オプションによる電力損失の改善および温度管理の最適化


1200 V IGBT S series

Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).