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STは、幅広いアプリケーション・ニーズに対して最適化され、さまざまなプロセス技術を用いた総合的なIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)のポートフォリオを提供しています。耐圧300V ~ 1200V超のIGBTデバイスには、ベア・ダイまたはパッケージングされたディスクリート部品が用意されています。

STのIGBTポートフォリオには、次のような製品が含まれます。

  • プレナー・パンチスルー(PT)IGBT
  • オートモーティブ・グレード(AEC-Q101)IGBT
  • トレンチ・フィールドストップ(TFS)IGBT

STのIGBTは、汎用インバータ、モータ制御、家電製品、UPS/SMPS、溶接装置、誘導加熱、太陽光インバータ、自動車用など、各種アプリケーションごとに、導通損失とスイッチ・オフ損失時の間のトレードオフを調整して最適化しています。
STのIGBTポートフォリオには主に次のような特徴があります。

  • 導通損失を低減する低いVCE(SAT)
  • 温度上昇に対するスイッチオフ・エネルギー増加を抑えスイッチング損失を低減
  • ばらつき幅の小さいパラメータにより、並列接続も容易でシンプルな設計が可能
  • 還流ダイオード同梱に適したパッケージも選択可能で、損失改善や最適温度管理に貢献

推奨製品

1200 V IGBT S series

Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).

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