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STは、プレーナ・パンチスルー(PT)技術とトレンチゲート・フィールドストップ技術の両方で、300V~1250VのIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)の総合的なポートフォリオを提供しています。

スイッチング性能とオンステート動作のトレードオフが最適化されているSTのIGBTは、汎用インバータ、モータ制御、家電製品、HVAC、UPS/SMPS、溶接装置、誘導加熱、太陽光インバータ、トラクション・インバータ、オンボード充電器および高速充電器など、産業分野および自動車に最適です。

STのIGBTは、ベア・ダイまたはパッケージングされたディスクリート部品として提供されています。

STのIGBTの主な特徴は以下のとおりです。

  • 導通損失とスイッチオフ損失時の間のトレードオフが最適
  • 最高接合温度は175°C
  • 広いスイッチング周波数範囲
  • 電力損失の改善と温度管理の最適化のために、アンチパラレル・ダイオード・オプションをパッケージに実装

推奨製品

1200 V IGBT S series

Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).

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