STG8M120F3D7

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1200 V, 8 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 µs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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技術文書

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      DS12267
      1200 V, 8 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing
      2.0
      432.94 KB
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      DS12267

      1200 V, 8 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing

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製品型番 Marketing Status グレード 材料宣誓書**
STG8M120F3D7
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STG8M120F3D7

Package:

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CHINA

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