STGB20H60DF

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600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

    主な特徴

    • High speed switching
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Short-circuit rated
    • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

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STGB20H60DF D2PAK Tape And Reel
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CHINA

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600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

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    • 製品型番

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      DS9293
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      1.81 MB
      PDF
      DS9293

      600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGB20H60DF
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600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB20H60DF

Package:

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Material Declaration**:

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General Description

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Package

D2PAK

Grade

Industrial

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