Product overview
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field‑stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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All features
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Short-circuit rated
- Soft and fast recovery antiparallel diode
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB20H60DF
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Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20H60DF | NRND 新規設計には推奨されません。製品は、お客様の継続的な生産をサポートするためだけに量産されています。 | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | - | - | |
STGB20H60DF
Package:
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGB20H60DF | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGB20H60DF NRND
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。