STGB20H60DF

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600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

  • 特徴

    • High speed switching
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Short-circuit rated
    • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGB20H60DF

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB20H60DF
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600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB20H60DF

Package:

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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