STGB5H60DF

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Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • High-speed switching
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Short-circuit rated
    • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

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CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10745
      Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT
      5.0
      888.01 KB
      PDF
      DS10745

      Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB5H60DF
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Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed D2PAK Industrial Ecopack2

STGB5H60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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