製品概要
概要
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. The device show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- SCIS energy of 180 mJ @ TC = 150 °C, L = 3 mH
- Parts are 100% tested in SCIS
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Very low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGD18N40LZT4
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フットプリント
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGD18N40LZT4 | 量産中 | DPAK | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C) | PTOT (W) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C) | PTOT (W) (max) | Country of Origin | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||||
| STGD18N40LZT4 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | -55 | 175 | - | 150 | CHINA | | - | 150 | CHINA | ||
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。